Samsung создала свои первые 3-nm прототипы GAAFET.
Samsung создала свои первые 3-нм прототипы GAAFET – транзисторы за пределами FinFET К 2030 году Samsung планирует стать ведущим в мире производителем полупроводников, обогнав TSMC и Intel, чтобы производить больше высококачественного кремния в мире, чем любая другая компания. Для достижения этой цели Samsung инвестирует в несколько новых технологий, выходя за рамки структуры FinFET большинства современных… Читать дальше Samsung создала свои первые 3-nm прототипы GAAFET.