Samsung создала свои первые 3-nm прототипы GAAFET.

 

Samsung создала свои первые 3-нм прототипы GAAFET — транзисторы за пределами FinFET

К 2030 году Samsung планирует стать ведущим в мире производителем полупроводников, обогнав TSMC и Intel, чтобы производить больше высококачественного кремния в мире, чем любая другая компания.

Для достижения этой цели Samsung инвестирует в несколько новых технологий, выходя за рамки структуры FinFET большинства современных транзисторов, в направлении нового дизайна под названием GAAFET. Samsung, как сообщается, подтвердила, что она произвела свои первые прототипы с использованием запланированного 3-нм узла GAAFET, что является важным шагом к возможному массовому производству.

По сравнению с грядущим 5-нм узлом Samsung 3-нм GAAFET разработан для обеспечения повышенного уровня производительности, повышенной плотности и значительного снижения энергопотребления. По оценкам Samsung, его 3-нм узел GAAFET обеспечит увеличение плотности кремния на 35% и снижение энергопотребления на 50% или увеличение производительности на 35% по сравнению с 5 нм.

Samsung, когда она первоначально объявила о своем 3-нм узле GAAFET, сообщила, что планирует начать массовое производство в 2021 году, что является амбициозной целью для такого продвинутого узла. В случае успеха Samsung имеет возможность взять долю рынка у TSMC, если предположить, что технология Samsung может обеспечить лучшую производительность или плотность, чем предложения TSMC.

Что особенного в GAAFET:

Samsung — это эволюция структуры FinFET, которая используется в большинстве современных высокотехнологичных технологических процессов, предоставляя пользователям структуру с четырьмя затворами вокруг каналов транзистора. Это то, что дает GAAFET свое имя Gate-All-Around, так как архитектура с четырьмя шлюзами в проекте охватывает все стороны канала и уменьшает утечку энергии.

Для упрощения окружение канала затворами уменьшает утечку энергии, что, в свою очередь, позволяет Samsung лучше контролировать каналы своих транзисторов. Уменьшение утечки мощности также позволяет использовать более высокий процент мощности транзистора, повышая эффективность и производительность. Сокращение утечек электроэнергии также может помочь Samsung миниатюризировать свои технологии. Короче говоря,

Если 3nm окажется успешным, Samsung получит значительные преимущества в энергопотреблении и производительности, которые окажутся полезными, поскольку компания ищет новых клиентов.