V-NAND 5- го поколения



Чипы Samsung 512GB eUFS 3.0 для смартфонов нового поколения.

Похоже, южнокорейский производитель планирует удвоить скорость хранения своих смартфонов. Компания официально выпустила свою первую 512 ГБ eUFS 3.0, которая поступит в массовое производство в ближайшем будущем. EUFS 3.0 емкостью 512 ГБ, по-видимому, является технологией хранения нового поколения, разработанной ведущим производителем электронных устройств. eUFS 3.0 означает встроенное универсальное флэш-хранилище объемом 512 гигабайт. Говорят, что все модели смартфонов Samsung могут… Читать дальше Чипы Samsung 512GB eUFS 3.0 для смартфонов нового поколения.